[硬件] 变化在哪儿？DDR4笔记本内存对比测试

　　DDR4内存在硬件规格方面最显著的进步是大幅度提高了频率，DDR3需要超频才能达到的2133MHz已经被DDR4原生支持。

　　DDR4还在DDR3L低电压内存1.35V电压基础上进一步降低了电压需求，只要有1.2V供电就可以点亮，在实际体验中，1.2V内存的发热量会更小，耗电量也会更低。

　　此外，桌面平台DDR4内存的单条最大容量将可以达到128GB，移动平台由于体积的限制，最大容量可能会小一些。个人认为这是对普通用户意义最小的一个变化，单条16GB或者32GB就足以满足99%的使用需求（如果不是做在虚拟机中开虚拟机这种任务的话，基本是用不完的）。

　　早在Intel第二代酷睿处理器SNB开始，处理器整合北桥功能，集成内存控制器，自此内存支持情况完全由处理器决定。根据Intel官网提供的信息，目前所有的第六代移动i系列酷睿处理器都支持DDR4（1866/2133）以及DDR3L（1600/1866）两种规格、三种频率的内存。

　　考虑到DDR4内存在外观上的变化，内存插槽并不通用，所以你的笔记本最终能够支持什么内存由主板接口决定。考虑到整机部分，受到厂商成本因素、库存情况影响，如果DDR4和DDR3L都可以支持，那么配备哪种内存都是有可能的，就看厂商愿意怎样来平衡自己的硬件配置和利润空间。

　　我们本次的测试平台是雷神G155P，其采用了i7-6700K处理器、128GB固态硬盘。使用AIDA64软件的“内存与缓存测试工具”进行测试，考虑到内存性能的发挥与其它配件的关系不太大，所以我们将会与去年的移动平台DDR3/DDR3L测试成绩进行对比。（详细测试数据请【点击这里】或点击文章底部的下一页查看）

　　在读取测试中，DDR4 2133内存以非常明显的优势领先，其双通道读取速度高达31474MB/S，相比DDR3L 1600提升了32%，相比DDR3 1333则提升了41%。

　　写入速度方面，DDR4 2133双通道32475MB/S的写入速度同样非常突出，比DDR3L 1600提升了27%，比DDR3 1333提升了38.5%，

　　DDR3/DDR3L/DDR4的电压规格分别是1.5V/1.35V/1.2V，更低的电压意味着更低的功耗，更低的功耗会带来更低的发热量，所以除了省电之外，低电压的内存将会有更小的发热量。进行4次内存测试后我们使用温枪进行测试，它们的温度表现也刚好与理论成绩相同。

　　虽然DDR4内存的性能和发热量都有不小进步，但是内存性能提升对整机性能的影响实在太小，加上第六代处理器同时支持DDR4和DDR3L内存，所以距离DDR4成为唯一的主流内存规格还有很长时间。

　　对于普通消费者来说，购买笔记本时无需太在意这个参数，配备DDR4内存可以算是一个亮点，但它还不足以影响你的最终购买决策。

DDR4/DDR3L/DDR3内存测试数据

DDR4 2133 内存与缓存测试成绩

DDR3L 1600 内存与缓存测试成绩

DDR3 1333 内存与缓存测试成绩

DDR4内存颗粒温度

DDR3L内存颗粒温度

DDR3内存颗粒温度