【存储性能:竟然支持NVMe/缓存加速】 是的,你没看错。Android世界刚刚开始从eMMC转向UFS,苹果已经走向了NVMe。这可是之前企业级固态存储的专利,最近才刚刚走向高端桌面系统,苹果就用在了手机上! 这很显然也是苹果自己定制的技术,因为目前市面上没有可用的方案,而且看起来应该是从其MacBook系列笔记本上固态存储方案借鉴过来的,后者就一直用着苹果自己的闪存控制器。 NVMe的好处我们已经说过很多次,简单总结就是更高性能、更低延迟、更低功耗,更适合固态存储性能的发挥。 这里测试的iPhone 6S容量是128GB,系统检测闪存编号是“1Y128G-TLC-2P”,代表着1ynm工艺的TLC。这种闪存比MLC成本低、(相对)寿命短,曾在iPhone 6 128GB上掀起不小的风波,但事实上对普通用户而言根本没有任何区别。 更何况,iPhone 6S上还支持TLC/SLC混合缓存加速,也就是三星850 EVO、闪迪iNAND 7232之类的,将部分TLC模拟为SLC缓存进行加速。
好了,来看性能吧。
持续读取提升近60%,无敌
持续写入提升达90%,还是无敌
随机读取提升约35%,稍微弱于UFS 2.0规格的三星Galaxy S6系列
随机写入提升约60%,进入了上流集团,但还有更多更好的
为了考验SLC缓存加速的效果,我们再来看看连续写入5GB数据的过程,每次256KB,Y轴代表写入时间。 前边3GB基本很稳定,写入时间也很短,只有0.01秒。1.8GB前后有一波儿凸起,可能是垃圾回收什么的。 3GB之后写入时间提高到了至少0.02秒,且不断凸起,说明SLC缓存已经用完了,TLC的带宽又有限。 总的来说,iPhone 6S的存储性能十分彪悍,苹果使用了从未见过的移动存储方案,遥遥领先其他任何对手。
最后是Wi-Fi上网续航,2750毫安的iPhone 6S Plus坚持了不到13个小时,比前辈少了整整50分钟。iPhone 6S的没列出来但也类似,都缩水了5-6%。 虽然苹果宣称续航时间不变,但硬件规格的增强、电池容量的减少,结果是不难想象的。
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